Kína nagy teljesítménysűrűségű igbt modul Gyártók Gyári Szállítók

Kompakt IGBT moduljaink kis csomagot használnak. Kompakt készülékekhez tökéletesek. A Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. 1987-ben indult. Saját K+F és értékesítési csapatunk van. Ezt a kompakt IGBT

Az 1200 V-os teljesítménytranzisztor 20 A-tól 300 A-ig terjedő névleges áramerősséget fed le, és egy szigetelő pufferréteget integrál a nagyfeszültségű elektromágneses interferencia csökkentése

Minden modul teljes körű ellenőrzésen esik át, beleértve a 3-fázisegyensúly-tesztet, a teljes terhelésű hőmérséklet-emelkedési tesztet és a feszültségállósági tesztet. A termékek teljes

A helytakarékos IGBT modul 600 V-os ipari feszültségplatformot használ, 15A és 130A közötti névleges áramerősséggel. Az ultra-vékony termikus szubsztrát kialakítás megoldja a kompakt berendezések

A Smart Power Semiconductor Module integrálja az IGBT chipeket, a meghajtó áramköröket, a túláram-védelmet, a túlfeszültség elleni védelmet, a túlfeszültség elleni védelmet, a túl-hőmérséklet elleni

A nagy hatékonyságú IGBT modul egy kompakt 600 V-os feszültségplatformot alkalmaz, 20 A és 120 A közötti névleges áramerősséggel. -Hőmérséklet- és rezgésálló-csomagolási szerkezete alkalmassá teszi

Az univerzális IGBT félvezető modul 600 V-os és 1200 V-os feszültségplatformokat fed le, 30-150 A névleges áramerősséggel. Az integrált pufferáramkör leegyszerűsíti a külső áramkörök tervezését,

A nagyáramú IGBT komponens 600 V-os és 1200 V-os feszültségplatformokban kapható, 100-600 A névleges áramerősséggel. A beépített-rövidzár-védelmi áramkör csökkenti a rendszerhiba kockázatát. Minden

A 100 Amperes IGBT Semiconductor két feszültség fokozatban kapható: 600 V és 1200 V. Az integrált hőelvezető hordozó csökkenti a rendszer hőkezelésének bonyolultságát, míg az antisztatikus

Az Insulated Gate Bipoláris Tranzisztor Device sorozat többféle feszültség- és áramspecifikációt fed le. Az alacsony kapcsolási veszteségű chip-kialakításnak és az erős túlfeszültség-ellenállásnak

Nagy teljesítményű igbt-nk tökéletes megawatt{0}}szintű ipari berendezésekhez. Cégünk 1987-ben indult. Saját K+F és értékesítési csapatunk van. Nagy teljesítményű igbt-nk nagy-áramú chipeket és

Nagy teljesítménysűrűségű IGBT moduljaink nagy teljesítményt biztosítanak nagyon kis méretben. Cégünk 1987-ben indult. Saját K+F és értékesítési csapatunk van. Korszerű csomagolási technológiát